技術(shù)編號(hào)：6933973
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般地涉及集成電路，尤其是金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS器件)器 件，并且更特別地涉及為了減小由于施加在MOS器件上的不同的應(yīng)力所造成 的MOS器件性能漂移的啞元(dummy)圖案設(shè)計(jì)。背景技術(shù)眾所周知，在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS器件)器件的驅(qū)動(dòng)電流受到施加 到溝道區(qū)域上的應(yīng)力的影響。在溝道區(qū)域的應(yīng)力可以提高載流子的遷移率。一 般來(lái)說(shuō)，期望在n型的MOS (NMOS)器件的溝道區(qū)域的引起拉伸應(yīng)力，而 在p型的MOS (PMOS上)器件的溝道區(qū)域引起壓縮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。