技術(shù)編號(hào)：6933693
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于MOS元件及其形成方法，且特別關(guān)于利用DTE程序來改善 MOS元件的性能。背景技術(shù)淺溝槽隔離區(qū)(以下簡稱STI)及擴(kuò)散區(qū)(源/漏極區(qū))的輪廓會(huì)強(qiáng)烈影響 MOS元件的性能，例如，結(jié)電容、柵極氧化漏電流、次臨界漏電流、結(jié)漏電 流等。目前已有人提出具有圓角的擴(kuò)散區(qū)來解決上述問題。但隨著減少淺溝 槽隔離區(qū)及擴(kuò)散區(qū)的尺寸愈來愈小?？刂戚喞呀?jīng)變得愈來愈具有挑戰(zhàn)性。傳統(tǒng)MOS元件的制造方法有許多缺點(diǎn)。例如，在形成STI的過程中， 會(huì)在STI及擴(kuò)散區(qū)上形成不良...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。