技術(shù)編號(hào)：6932854
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及作為高頻半導(dǎo)體器件使用的HBT及HFET的集成電路(Bi 一HFET)及其制造方法。背景技術(shù)在發(fā)射極中使用了帶隙大的半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HeterojunctionBipolarTransistorHBT)，作為便攜式電話機(jī)等中使用的高頻 模擬元件正在被實(shí)用化。特別是在發(fā)射極中使用了 InGaP (磷化鎵銦)的 InGaP/GaAsHBT，預(yù)計(jì)作為溫度依存性小、高可靠性的器件，使用方法在 今后將會(huì)越發(fā)廣泛。最近，正在進(jìn)行通^由異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。