技術(shù)編號(hào)：6932714
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件、如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的方法。 背景技術(shù)通過(guò)充分使用微細(xì)加工技術(shù)，隨時(shí)間推移，就能夠在實(shí)現(xiàn)縮小規(guī) 模的同時(shí)制造半導(dǎo)體器件，而沒(méi)有降低其性能。這種趨勢(shì)也存在于具 有高驅(qū)動(dòng)性能的半導(dǎo)體元件中，因此通過(guò)充分使用微細(xì)加工技術(shù)來(lái)尋 求每單位面積的導(dǎo)通電阻的降低。但是，實(shí)際上，微細(xì)加工技術(shù)導(dǎo)致 的元件的小型化所引起的耐受電壓的下降阻礙了驅(qū)動(dòng)性能的進(jìn)一步 增強(qiáng)。為了解決小型化與耐受電壓之間的折衷，已經(jīng)提出具有各種結(jié) 構(gòu)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。