技術編號：6931381
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域，尤其涉及，更具體地，涉及 一種用于替代柵的雙接觸孔形成方法以及利用所述方法制造出的半導體器件。背景技術隨著半導體器件的尺寸越來越小，層間觸點和接觸孔(CA)也越來越小，且相互 間的距離也隨之減小。利用傳統(tǒng)工藝制造較小的觸點和接觸孔存在以下一些問題(1) 由于柵上的刻蝕深度與源/漏區(qū)中的刻蝕深度不同，容易造成接觸孔與柵之間的短路；由于源/漏區(qū)中的刻蝕深度較深且開口較小(即，具有較小的寬高比)，可能會引起 無法完全刻通、插頭填充金屬中出現(xiàn)...
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