技術(shù)編號：6930991
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子器件及存儲器，尤其涉及一種可控制導(dǎo)電細(xì)絲生長位 置的電阻式非易失存儲器件及其制作方法。背景技術(shù)近年來，3C消費(fèi)類電子產(chǎn)品市場爆炸式的增長，使得非易失存儲器的市場需求飛 速的增長。閃存(flash memory)是目前占統(tǒng)治地位的非易失性存儲器，其產(chǎn)值也將逼近于 動態(tài)隨機(jī)存儲器。但是，傳統(tǒng)Flash存儲器是基于多晶硅薄膜浮柵結(jié)構(gòu)的硅基非易失性存 儲器，而這種結(jié)構(gòu)正面臨著如何持續(xù)縮小的挑戰(zhàn)。從2005年國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖 (ITRS)來看...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。