技術(shù)編號：6930021
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種NMOS —次可編程器件及其制造方法。 背景技術(shù)常見的 NMOS—次可編程器件(one-time programmable memory, OTP)結(jié)構(gòu)如圖 1、圖2所示，由一個耦合電容加一個NMOS晶體管構(gòu)成，耦合電容一端接NMOS晶體管柵極， NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)為阱區(qū)的上部兩側(cè)為源、漏區(qū)，源、漏區(qū)間的阱區(qū)的上面為柵介質(zhì)層，柵 介質(zhì)層之上為浮柵多晶硅層，通常該NMOS晶體管的制造工藝過程是(1)在襯底之上進行 LOCO...
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