技術(shù)編號(hào)：6928905
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種相變存儲(chǔ)器單元陣列的制備方法，特別涉及一種低壓低功耗、高密度相 變存儲(chǔ)器單元陣列的制備方法。背景技術(shù)基于硫系半導(dǎo)體合金材料的相變存儲(chǔ)器(Chalcogenide random access memory , C-RAM) 具有驅(qū)動(dòng)電壓低、功耗小、讀寫速度快、.存儲(chǔ)密度高、與CMOS標(biāo)準(zhǔn)工藝兼容性好、及非揮發(fā) 性等突出特點(diǎn)，成為世界各大公司、研究機(jī)構(gòu)關(guān)注的焦點(diǎn)。自2003年起，國(guó)際半導(dǎo)體工業(yè)協(xié) 會(huì)一直認(rèn)為相變存儲(chǔ)器最有可能取代SRM1、 DRA...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。