技術(shù)編號(hào):6928487
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,特別是涉及具有隔離用的溝槽的。背景技術(shù)在半導(dǎo)體集成電路(以下,記為「IC」)上安裝多個(gè)雙極型晶體管、電阻或電容等的規(guī)定的元件時(shí),應(yīng)用了對(duì)元件相互間進(jìn)行導(dǎo)電性的隔離的各種隔離結(jié)構(gòu)。最廣泛地被應(yīng)用的隔離結(jié)構(gòu)是基于PN結(jié)的隔離結(jié)構(gòu)。在該隔離結(jié)構(gòu)中,在形成元件的區(qū)域(元件形成區(qū))和與該區(qū)域的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的隔離區(qū)域之間形成PN結(jié)。而且,通過對(duì)該P(yáng)N結(jié)施加反偏置,對(duì)相鄰的元件形成區(qū)相互間進(jìn)行電隔離。在雙極型IC中,在P-型半導(dǎo)體襯底上生長N-型外延層...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。