技術(shù)編號(hào):6925428
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的制造方法,特別涉及一種。請(qǐng)參考附圖說(shuō)明圖1A,首先對(duì)P型硅基底100實(shí)施熱氧化過(guò)程,如區(qū)域氧化法(LOCOS)來(lái)形成場(chǎng)絕緣層(未顯示),并借該場(chǎng)絕緣層來(lái)隔離出主動(dòng)區(qū)。然后于主動(dòng)區(qū)內(nèi)的基底100表面,形成氧化硅作為第一絕緣層110。其次,于第一柵極絕緣層110上,以化學(xué)氣相沉積法(CVD)沉積一層復(fù)晶硅層,并摻入適量的雜質(zhì)以形成第一導(dǎo)電層115。接著,在第一導(dǎo)電層115表面沉積一層氮化硅層以形成第一遮蔽層120。請(qǐng)參考圖1B,實(shí)施微影...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。