技術(shù)編號(hào):6924259
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種DMOS晶體管及其制造方法。 背景技術(shù)DMOS晶體管是雙擴(kuò)散且形成有源極層和成為溝道的主體層的MOS場(chǎng)效應(yīng)型晶體 管,作為電源電路或驅(qū)動(dòng)電路等功率半導(dǎo)體元件而使用。近幾年,根據(jù)電子設(shè)備的小型化、低耗電化的要求,期望DMOS晶體管的低導(dǎo)通電 阻化。因此,使用微細(xì)加工技術(shù)來(lái)縮小晶體管的間距,從而增大每單位面積的晶體管數(shù)。另 夕卜,通過(guò)斜向離子注入技術(shù)形成以往通過(guò)熱擴(kuò)散形成的主體層,從而縮短晶體管的溝道長(zhǎng) 度,實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻化。以下,參照?qǐng)D12和...
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