技術(shù)編號(hào)：6923472
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)元件和一種存儲(chǔ)裝置，該存儲(chǔ)元件和存儲(chǔ)裝置通過(guò)包含離子源層的存儲(chǔ)層的電特性的改變能夠存儲(chǔ)二個(gè)以上信息。 背景技術(shù)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，其操作快、密度高，已被廣泛用作例如計(jì)算機(jī)等信 息裝置中的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。然而，與用于電子設(shè)備中的普通邏輯電路LSI (大規(guī) 模集成電路)或信號(hào)處理相比，DRAM制造過(guò)程復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。并且，DRAM是易失性存 儲(chǔ)器，其電源被切斷時(shí)信息丟失。因此，有必要經(jīng)常執(zhí)行刷新操作，即，執(zhí)行讀出已寫入...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。