技術編號：6923132
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。大體而言，本發(fā)明揭示關于集成電路的形成，且詳言之，是關于包含密間隔線(如 柵極電極、多晶硅互聯(lián)機(polysilicon interconnect line)及類似者)的電路元件間及 電路元件上的介電中間層的形成。背景技術于集成電路的制造期間，根據(jù)特定的電路布局，大量的電路元件形成于給定的芯 片區(qū)域上。 一般而言，有多個工藝技術正被實施，其中，對于復雜的電路系統(tǒng)(如微處理器、 儲存芯片與類似者)，由于考慮到操作速度、電源消耗及/或成本效益，故以硅為基礎的M...
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