技術(shù)編號(hào):6922391
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電子器件。具體地, 金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu), 類型器件的閾值電壓的方法。本發(fā)明涉及包含高k柵極介電質(zhì)的互補(bǔ) 以及在不影響彼此的情況下,調(diào)整兩種背景技術(shù)當(dāng)今集成電路包含極大數(shù)量的器件。更小的器件和縮小基本規(guī)則是提高 性能及降低成本的關(guān)鍵。隨著場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect-transistor, FEF)器件 尺寸縮減的同時(shí),技術(shù)也愈趨向復(fù)雜,因此需要改變器件結(jié)構(gòu)及新的制造方 法,以維持從一代到下一代的器件預(yù)期的性能提高。微電子器...
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