技術(shù)編號(hào)：6921760
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及可用于紫外線發(fā)光元件(發(fā)光二極管、激光二極管)、紫外線傳感器等的A1含量高(111族元素的50原子％以上 是A1)的P型III族氮化物半導(dǎo)體及使用該半導(dǎo)體的半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)以氮化鎵(GaN)為代表的III族氮化物半導(dǎo)體具有在相當(dāng) 于從可見光區(qū)域到紫外區(qū)域的能帶的整個(gè)區(qū)域內(nèi)直接躍遷型的 帶結(jié)構(gòu)，可以制作高效率的發(fā)光器件。因此，發(fā)光二極管和激 光二極管的研究非?；钴S，現(xiàn)在，從可見光區(qū)域到近紫外區(qū)域的發(fā)光二極管、藍(lán)色激光二極管等已經(jīng)被制成產(chǎn)品。為了...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。