技術(shù)編號：69206
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種應(yīng)力隔離溝槽半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)在互補金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetal-oxide semiconductor, CMOS)的制備過程中，經(jīng)常采用淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)工藝將相鄰的NMOS 晶體管和PMOS晶體管隔尚。如美國專利US7, 436，030中所述，隨著半導(dǎo)體尺寸的不斷縮小，STI已經(jīng)成為CMOS器件的一種優(yōu)選的電學(xué)隔離方法。這是因為STI應(yīng)力可以引起溝道區(qū)域的應(yīng)變，從而可以改...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。