技術(shù)編號：69194
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型通常涉及半導(dǎo)體技術(shù)，更具體地涉及一種新型的晶體管和包括該晶體管的半導(dǎo)體芯片。背景技術(shù)如圖I所示，在諸如MOS晶體管的制作過程中，在形成柵堆疊以及源漏區(qū)102之后，需要在源漏區(qū)102上形成金屬硅化物接觸，以便在晶體管源漏區(qū)和生產(chǎn)線后道工藝的鎢金屬接觸孔之間提供低阻連接。形成金屬硅化物接觸的具體步驟是，形成源漏區(qū)之后，在整個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面(包括柵堆疊、側(cè)墻111、源漏區(qū)102以及淺溝槽隔離STI 110)上淀積一層金屬，例如鎳或者鎳的合金層，之后進(jìn)行退火，使得在晶體管源漏區(qū)102的表面內(nèi)形成一定厚度的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。