技術(shù)編號：69193
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體基底。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，形成阱區(qū)是必不可少的エ藝。下面結(jié)合附圖說明現(xiàn)有技術(shù)中阱區(qū)的形成方法，所述方法具體包括參見圖I所示，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100包括第一隔離結(jié)構(gòu)111、第二隔離結(jié)構(gòu)112、第三隔離結(jié)構(gòu)113、第四隔離結(jié)構(gòu)114和第五隔離結(jié)構(gòu)115，所述隔離結(jié)構(gòu)用于隔離有源區(qū)。參見圖2所示，在所述第二隔離結(jié)構(gòu)112和所述第三隔離結(jié)構(gòu)113之間的有源區(qū)之外的半導(dǎo)體襯底100上形成光刻膠120。參見圖3所示，進行摻雜離子140注入。參見圖4...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。