技術(shù)編號：6911273
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造方法，特別是涉及一種結(jié)合自我對準接觸制程與自我對準硅化物制程的方法。對于嵌埋式(embeded)內(nèi)存的制作而言，需要在同一芯片上制作邏輯電路以及內(nèi)存，而為了同時達到較佳的電路表現(xiàn)以及較高的積集度，美國專利US5,998,252號提出一種結(jié)合金屬硅化物制程與SAC制程的方法，以應(yīng)用于一般的邏輯制程。請參考圖2A至圖2F，其顯示現(xiàn)有嵌埋式內(nèi)存的制作方法。如圖2A所示，一半導(dǎo)體基底10的表面區(qū)域包含有多個場氧化隔離區(qū)12，且被劃分成一邏...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。