技術編號：6911267
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術利用以磁性體/隧道絕緣層(隧道層)/磁性體為基本構成的TMR元件，能實現(xiàn)高磁阻變化率(MR比)的情況被顯示以來，向磁頭、MRAM等的應用，就TMR元件的研究相當活躍。TMR元件是利用夾持隧道層的2個磁性體的磁化相對角，改變磁性體之間的隧道準確率。作為隧道層主要是利用氧化鋁。氧化鋁一般是將在磁性體上形成的金屬鋁膜進行氧化形成。例外的報導實例也有利用氮化硼(BN)在氧化鋁上制作TMR元件的(特開平4-103013號公報)，若參考其他的眾多研...
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