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隱埋金屬體接觸結(jié)構(gòu)和制造半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6911254

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較概括地說(shuō),本發(fā)明與半導(dǎo)體集成電路器件及這些器件的制作方法有關(guān)。更細(xì)致地講,本發(fā)明與為提高其性能和縮小其尺寸而帶有隱埋金屬體接觸的SOI(絕緣體上長(zhǎng)硅)COMS器件有關(guān)。絕緣體上長(zhǎng)硅(SOI)是作為高性能VLSI(大規(guī)模集成)器件產(chǎn)品中普遍采用的傳統(tǒng)體生長(zhǎng)技術(shù)的替代技術(shù)而出現(xiàn)的。這兩種技術(shù)之間的主要差別在于如何連接晶體管的本體(直接位于CMOS器件柵下方的區(qū)域,更細(xì)致地說(shuō),就是源和漏之間的區(qū)域)。在體生長(zhǎng)技術(shù)中,本體存在于井中或襯底中。因此,在不犧牲面積和...
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