技術(shù)編號(hào)：6905610
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于鐵電存儲(chǔ)器，具體涉及一種鐵電存儲(chǔ)器用鐵電薄 膜電容及其制備方法。背景技術(shù)鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器相比有許多突出的優(yōu)點(diǎn)， 具有廣闊的應(yīng)用前景和巨大的經(jīng)濟(jì)效益。傳統(tǒng)的Pt/PZT/Pt(MFM)結(jié)構(gòu)的鐵 電薄膜電容作為FeRAM的主要存儲(chǔ)媒質(zhì)，具有容易疲勞，矯頑場(chǎng)大，工藝 溫度較高(550-650。C)的缺點(diǎn)，并且直接在金屬Pt電極上生長(zhǎng)的鐵電薄膜結(jié) 晶性能較差，影響電容的性能。 一些研究者提出采用氧化物電極材料如 (La,Sr)...
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