技術(shù)編號(hào)：6904634
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是涉及高耐壓且電流容量大、可實(shí) 現(xiàn)小型化的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)作為耐壓高且電流容量也大的所謂電力用分立半導(dǎo)體(單功能半導(dǎo)體、單個(gè)半導(dǎo)體)元件，已知有例如IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor纟色 緣柵雙極性晶體管)、MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或二極管等。圖4表示現(xiàn)有的半導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。