技術(shù)編號(hào):6904633
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的典型實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體器件,并且更具體地涉及集成半導(dǎo)體器件,例如在具有絕緣體上硅(SOI)部分和體硅部分的襯底的頂上形成 的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。背景技術(shù)垂直應(yīng)力技術(shù),例如SMT (應(yīng)力記憶技術(shù))對(duì)于將來(lái)的CMOS世代是 有吸引力的,因?yàn)樗鼈儽壤缫r層技術(shù)的技術(shù)更有利于縮放。在金屬柵極 CMOS領(lǐng)域,柵極引入應(yīng)力的新的可能性是可能的。對(duì)于金屬柵極CMOS 中的功函控制,追求雙金屬柵極疊層的構(gòu)思。US2007/0069298 Al描...
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