技術編號：6903849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，特別涉及LDMOS晶體管、具有LDM0S晶體管的半導體 器件及其制造方法。背景技術在功率集成電路的發(fā)展中，為了將功率開關以及控制電路整合在一起而開發(fā)的單 芯片制程，尤其是目前用于制作單片集成電路的橫向二次擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffusion M0S，L匿0S)制程，為一主流趨勢。L匿0S制程是于半導體基板的表面進 行平面擴散(planar diffusion)以便形成橫向的主要電流路徑，由于LDM0S是以...
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