技術(shù)編號：6902598
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)，更特別地涉及可用于制備具 有金屬硅化物層的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件高集成化的發(fā)展，場效應(yīng)晶體管按照比例縮小規(guī) 貝'J(scaling law)被小型化，但是由于柵極(gate)、源極(source)和漏極 (drain)阻抗增加，即使場效應(yīng)晶體管被小型化，仍存在不能實(shí)現(xiàn)高速 運(yùn)行的問題。因此，對于例如具有0.2pm或更小的柵極長度的場效應(yīng) 晶體管，正在研究通過在構(gòu)成柵極的導(dǎo)電薄膜和構(gòu)成源極和漏極的半 導(dǎo)體區(qū)域...
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