技術編號：6902507
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術層間介電膜的干法蝕刻工藝可使用CxHyFz (x、 y、 z為非負整數)作為 基本蝕刻氣體，并有時使用氧氣(例如02)調整基本蝕刻氣體的C與F的 比率(即C/F)。也使用氮氣(N2)形成比氧氣揮發(fā)性弱的蝕刻副產品，使用 氬氣(Ar)有助于提供等離子體的稀釋、均勻度的改善和經離子化的各向異 性干法刻蝕。然而，導通孔的密度通常小于整個晶片面積的1%。在這種情況下，可 以將由光致抗蝕劑膜產生的碳化合物與在部分具有相對較低導通孔數量的 區(qū)...
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