技術(shù)編號：6901410
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，更具體地，涉及具有浮體元件和 基體元件的半導體器件及其制造方法。背景技術(shù)目前，正在積極開展對具有絕緣體上硅(SOI， Silicon On Insulator)結(jié) 構(gòu)的晶體管的研究。SOI結(jié)構(gòu)包括下半導體襯底、上硅圖案和插設在下半導 體襯底和上硅圖案之間使二者相互絕緣的埋層絕緣層(buried insulating layer)。具有SOI結(jié)構(gòu)的晶體管可以實現(xiàn)高速運行并減小功耗。但是，難以 控制具有SOI結(jié)構(gòu)的晶體管的閾值...
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