技術(shù)編號：6901151
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，且更具體而言涉及一 種降低鄰近柵極間的干擾的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)規(guī)則的減少，在嘗試?yán)脗鹘y(tǒng)平面溝道結(jié)構(gòu)去達(dá)到 目標(biāo)閾值電壓對會遭遇到限制。由于這些限制，已經(jīng)進(jìn)行朝著具有三維凹陷 溝道的半導(dǎo)體器件的方向的研究。通過凹陷半導(dǎo)體基板的溝道形成區(qū)域，然后形成柵極于凹陷的溝道區(qū)域 之內(nèi)和之上，由此實(shí)現(xiàn)具有凹陷溝道的半導(dǎo)體器件。具有凹陷溝道的半導(dǎo)體 器件與具有平面溝道的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件相比具有優(yōu)點(diǎn)...
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