技術(shù)編號：6900355
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于薄膜太陽電池材料制備，特別是涉及一種銅銦鎵硒半導(dǎo)體薄膜的制備方法。 背景技術(shù)銅銦鎵硒CIGS薄膜太陽電池的基本結(jié)構(gòu)是基底/金屬背電極/光吸收層/緩沖 層/窗口層/透明電極層/金屬柵狀電極/減反射層，其中作為光吸收層的銅銦鎵硒半導(dǎo) 體薄膜對太陽電池性能起著決定性的作用。 黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體銅銦鎵硒(CIGS， CIGSS)作為光吸收層的薄膜太陽電 池，被認為是非常具有發(fā)展前景的化合物電池之一。銅銦鎵硒薄膜是一種直接帶隙半導(dǎo)體 材料，其重要特性...
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