技術(shù)編號(hào):6899050
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,并且更具體地涉及一種能夠使用 鴒層來(lái)防止柵極圖案失效的。背景技術(shù)近來(lái),用于半導(dǎo)體器件的柵極導(dǎo)電層表現(xiàn)為具有多晶硅層和鎢層的堆 疊結(jié)構(gòu)而不是僅具有單個(gè)多晶硅層的單層結(jié)構(gòu)。這樣做是為了減小柵極導(dǎo) 電層的電阻。然而,雖然鵠層和多晶硅層的堆疊結(jié)構(gòu)可減小柵極導(dǎo)電層的 電阻,但是在柵極圖案化工藝之后的熱處理期間,在鎢層中可發(fā)生異常氧 化。圖1A和1B是鴒層的異常氧化的顯微視圖。由于鵠層11的異常氧化, 鴒層11發(fā)生變形并且可最終脫離。附圖標(biāo)記12顯示鴒層1...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。