技術(shù)編號：6899021
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大致上是有關(guān)于一種半導體元件，且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用應(yīng)變通道晶體管以提升晶體管的性能的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)元件與靜態(tài)隨機存 儲器晶胞結(jié)構(gòu)(cell structures)及其制造方法。背景技術(shù)在集成電路(IC)中的復(fù)雜電子系統(tǒng)的整合趨勢持續(xù)之下，對于儲存軟件程 序與處理的數(shù)據(jù)的高性能存儲元件的需求漸增。身為一種可靠且經(jīng)驗證的科 技，靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)為應(yīng)用在具有 系統(tǒng)單芯片(SO...
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