技術(shù)編號(hào):6898483
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造,并且更具體地,涉及具有 晶體管的半導(dǎo)體器件和相關(guān)制造技術(shù)。背景技術(shù)源區(qū)和漏區(qū)、以及在源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)上的柵電極。操作期間,將阱 偏壓施加于阱,以增加晶體管的操作穩(wěn)定性。隨著集成度提高,半導(dǎo)體器件 特征繼續(xù)減小和,因此,可以用于施加阱偏壓的阱拾取區(qū)(pick up region ) 的尺寸也繼續(xù)減小。圖1是具有可以用于施加阱偏壓的結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)晶體管的截面圖。參照?qǐng)D 1,阱2形成在半導(dǎo)體襯底1中,和器件隔離層3形成在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。