技術(shù)編號：6896551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請依照35 U.S.C §119要求韓國專利申請第 10-2007-0050823號(于2007年5月25曰提交)的優(yōu)先權(quán)，將其 全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。背景技術(shù)自對-準(zhǔn)源才及工藝(source process )可以通常用于形成半導(dǎo)體存 儲裝置的源極線(source line )。在自對準(zhǔn)源極工藝過程中，在形成 疊層棚-4及結(jié)構(gòu)之后，可以用感光"莫覆蓋不包4舌共源才及部分的單元區(qū) 域，通過蝕刻移除源極線部分的裝置隔離膜，并實施離子注入以形 成共源纟...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。