技術(shù)編號(hào)：6896344
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件(Semiconductor memory device), 且 特別是涉及一種與非門型非易失性存儲(chǔ)器(NAND type non-volatile memory) 及其制造方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器組件由于具有可多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、擦除等動(dòng)作， 且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn)，因此已成為個(gè)人計(jì)算機(jī)和電子 設(shè)備所廣泛采用的 一種存儲(chǔ)器組件。典型的非易失性存儲(chǔ)器組件， 一般是被設(shè)計(jì)成具有堆棧式柵極 (Stacked-Ga...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。