技術(shù)編號:6896159
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,特別是存儲器單元與陣列,更特別地涉及多次編程(MTP)存儲器單元與陣列的架構(gòu)與制造方法。 背景技術(shù)一種多次編程(multiple-times programming, MTP)存儲器單元與陣列, 用以保持儲存于存儲器單元的資訊,即使于電力關(guān)閉時(shí)。設(shè)計(jì)多次編程 (MTP)存儲器單元與陣列時(shí),開始通常根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)為基礎(chǔ)的邏輯程序。然后,于邏輯程序流程中,加上額外的程序 步驟,以設(shè)計(jì)該多次編程存儲器單元。舉例而...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。