技術(shù)編號(hào):6893579
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到的是在半導(dǎo)體襯底溝道材料中引入應(yīng)變的方法領(lǐng) 域,通過(guò)在硅襯底上外延組分漸變的SiGe層,再外延鍺層或硅層, 得到應(yīng)變的溝道材料層,然后再通過(guò)工藝的方法引入更大的應(yīng)力,進(jìn) 一步提高材料的應(yīng)變程度,提高器件性能。本發(fā)明增強(qiáng)MOS器件溝 道區(qū)應(yīng)變的方法可用于CMOS工藝中的應(yīng)變硅或鍺工藝中,進(jìn)一步 提高溝道材料的應(yīng)變程度,提高遷移率,增強(qiáng)器件性能。背景技術(shù)隨著特征尺寸越來(lái)越小,集成電路面臨諸多由材料和器件自身引 起的小尺寸效應(yīng)。特征尺寸的不斷縮小使單...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。