技術編號：6893051
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種CMOS圖像傳感器及其形成方 法、半導體器件形成方法。背景技術目前電荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的實用化固態(tài) 圖像傳感器件，具有讀取噪聲低、動態(tài)范圍大、響應靈敏度高等優(yōu)點，但是 CCD同時具有難以與主流的互補金屬氧化物半導體(Complementary - Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技術相兼容的缺點，即以CCD為基礎的圖 像傳感器難以實現(xiàn)...
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