專利名稱：Cmos圖像傳感器及其形成方法、半導體器件形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種CMOS圖像傳感器及其形成方 法、半導體器件形成方法。
背景技術：
目前電荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的實用化固態(tài) 圖像傳感器件，具有讀取噪聲低、動態(tài)范圍大、響應靈敏度高等優(yōu)點，但是 CCD同時具有難以與主流的互補金屬氧化物半導體(Complementary - Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技術相兼容的缺點，即以CCD為基礎的圖 像傳感器難以實現(xiàn)單芯片 一體化。而CMOS圖像傳感器(CMOS Image sensor, CIS)由于采用了相同的CMOS技術，可以將像素單元陣列與外圍電路集成在 同一芯片上，與CCD相比，CIS具有體積小、重量輕、功耗低、編程方便、易 于控制以及平均成本低的優(yōu)點。
現(xiàn)有形成CMOS圖像傳感器的工藝參照附圖加以說明。參照附圖1,提 供包含外圍電路區(qū)IA和像素單元區(qū)IB的半導體襯底IOO,所述像素單元區(qū)IB 包括光電二極管區(qū)域(未圖示)和驅動電路區(qū)域(未圖示)；然后，用熱氧化 法在半導體襯底100上形成墊氧化層IOI,所述墊氧化層101的材料為氧化硅； 用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法在墊氧化層101上形成阻擋層102,所述 阻擋層102的材料為氮化硅；用旋涂法在阻擋層102在形成光刻膠層103,經 過曝光、顯影工藝，在光刻膠層103上定義出淺溝槽圖形104。
如圖2所示，以光刻膠層103為掩膜，用干法刻蝕法沿淺溝槽圖形104 刻蝕阻擋層102、墊氧化層101和半導體襯底100,形成淺溝槽105;用灰化 法去除光刻膠層103,然后再用濕法刻蝕法去除殘留的光刻膠層103。如圖3所示，采用熱氧化法氧化淺溝槽105內表面形成襯氧化層106,所 述襯氧化層106的材料為氧化硅；然后，用高密度等離子體工藝在阻擋層102 上及淺溝槽105內形成絕緣氧化層107,其中，絕緣氧化層107填充滿淺溝槽 105,所述絕緣氧化層107的材料為氧化硅；用化學機械拋光法平坦化絕緣氧 化層107至露出阻擋層102;最后，用濕法蝕刻方法去除阻擋層102和墊氧化 層IOI,形成淺溝槽隔離結構。
如圖4所示，在外圍電^各區(qū)IA的半導體襯底100上形成柵介質層108a, 在像素單元區(qū)IB的驅動電路區(qū)域的半導體襯底IOO上形成復位晶體管的柵介 質層109a、源跟隨晶體管的柵介質層110a和輸出晶體管的柵介質層llla;然 后在柵介質層108a上形成柵極108b、在復位晶體管的柵介質層109a上形成 復位晶體管的柵極109b、在源跟隨晶體管的柵介質層110a上形成源跟隨晶體 管的柵極110b及在輸出晶體管的柵介質層llla上形成輸出晶體管的柵極 lllb;接著，在光電二極管區(qū)域的半導體襯底100內形成與半導體襯底100 導電類型相反的深摻雜阱112,與半導體襯底100之間構成PN結，形成光電 二極管。
在深摻雜阱112上對應形成與之導電類型相反的淺摻雜區(qū)113a;在驅動 電3各區(qū)域形成淺擴散區(qū)113b、 113c、 113d及113e;在外圍電路區(qū)IA形成淺 擴散區(qū)113f。
在像素單元區(qū)IB的復位晶體管的柵極109b、源跟隨晶體管的柵極110b、 輸出晶體管的柵極nib和外圍電3各區(qū)IA晶體管的柵極108b兩側形成側墻 118;然后，在像素單元區(qū)IB的復位晶體管的柵極109b、源跟隨晶體管的柵 極110b、輸出晶體管的柵極lllb和外圍電路區(qū)IA晶體管的柵極108b兩側的 半導體襯底100中進行源/漏極離子注入。由于復位晶體管的源極與深摻雜阱 相連接，復位晶體管的源極不需要進行注入；復位晶體管和源跟隨晶體管共 用漏極114、源跟隨晶體管和輸出晶體管的共用源極115;形成輸出晶體管的
5漏極116;在外圍電路區(qū)IA晶體管的柵極108b兩側分別形成源極117a及漏 極117b。
在中國專利申請200310101949還可以發(fā)現(xiàn)更多與上述技術方案相關的信
自
現(xiàn)有技術在制作CMOS圖像傳感器的過程中，外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的
淺溝槽隔離結構是同時形成的，但是，在像素單元區(qū)的需要增大感光面積， 像素單元之間距離應盡可能小，即像素單元間的淺溝槽隔離結構關鍵尺寸要
盡量小。然而，關鍵尺寸的減小，會造成淺溝槽隔離結構的深寬比增大，進 而會導致像素單元區(qū)的淺溝槽內絕緣氧化層不能完全填滿，會在絕緣氧化層 內產生如圖5所示的空洞10,使淺溝槽的隔離功能降低，進而導致后續(xù)半導體 器件之間的短路。同時，像素單元區(qū)的淺溝槽隔離結構截面積也會增大，導 致淺溝槽內產生漏電流。
發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種CMOS圖像傳感器及其形成方法、半導體器 件形成方法，防止像素單元區(qū)的淺溝槽內絕緣氧化層中產生空洞，以及防止 淺溝槽隔離結構截面積增大。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種CMOS圖像傳感器的形成方法，包括 下列步驟提供包含外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底；在半導體襯底 上形成第一墊氧化層；去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層；在第一墊氧化層和 半導體襯底上形成第二墊氧化層；刻蝕外圍電路區(qū)的第二墊氧化層和半導體 襯底，像素單元區(qū)的第二墊氧化層、第一墊氧化層和半導體襯底，在外圍電 路區(qū)形成第一淺溝槽，在像素單元區(qū)形成第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第 二淺溝槽深；在第一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層后，去除第二 墊氧化層和第一墊氧化層；在外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體村底上形成晶體管。
可選的，所述第一墊氧化層的厚度為200埃~400埃。 可選的，所述第二墊氧化層的厚度為80埃 150埃。 可選的，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深200埃 400埃。 形成第一墊氧化層之后，去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層之前，還包括
在第一墊氧化層上形成光刻膠層；去除外圍電路區(qū)的光刻膠層。
可選的，所述第二墊氧化層上還形成有阻擋層。所述阻擋層的材料為氮化硅。
一種CMOS圖像傳感器，包括包含像素單元區(qū)和外圍電路區(qū)的半導體 襯底；位于含像素單元區(qū)半導體襯底內的第二淺溝槽；位于外圍電路區(qū)半導 體襯底內的第一淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深；填充滿第一淺溝 槽和第二淺溝槽的絕緣氧化層；位于半導體襯底上的晶體管。 可選的，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深200埃~400埃。 一種半導體器件的形成方法，包括下列步驟提供包含第一區(qū)域和第二
區(qū)域的半導體襯底；在半導體襯底上形成第一墊氧化層；去除第二區(qū)域的第 一墊氧化層；在第一墊氧化層和半導體襯底上形成第二墊氧化層；刻蝕第二 區(qū)域的第二墊氧化層和半導體襯底，第一區(qū)域的第二墊氧化層、第一墊氧化 層和半導體襯底，在第二區(qū)域形成第一淺溝槽，在第一區(qū)域形成第二淺溝槽， 所述第 一淺溝槽比第二淺溝槽深；在第 一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣 氧化層后，去除第二墊氧化層和第一墊氧化層；在第一區(qū)域和第二區(qū)域的半 導體襯底上形成晶體管。
可選的，所述第一墊氧化層的厚度為200埃~400埃。 可選的，所述第二墊氧化層的厚度為80埃 150埃。 可選的，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深200埃~400埃。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點在像素單元區(qū)比外圍電路區(qū)多
7形成一層第 一墊氧化層，使后續(xù)在像素單元區(qū)形成的第二淺溝槽比在外圍電 路區(qū)形成的第一淺溝槽淺。由于第二淺溝槽的高寬比減小，在向第二淺溝槽 內填充絕緣氧化層的時候，能將第二淺溝槽完全填充滿，不會產生空洞，保 證了淺溝槽的隔離功能，提高了半導體器件之間的隔離效果。
另外，由于像素單元區(qū)的第一淺溝槽的深度淺，使淺溝槽隔離結構的截 面積縮小，有效防止了漏電流的產生。
圖1至圖4是現(xiàn)有技術形成CM0S圖像傳感器的示意圖； 圖5是現(xiàn)有技術形成的CMOS圖像傳感器中淺溝槽內產生缺陷的示意圖； 圖6是本發(fā)明形成CMOS圖像傳感器的具體實施方式
流程圖； 圖7至圖11是本發(fā)明形成CMOS圖像傳感器的實施例示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明在像素單元區(qū)比外圍電路區(qū)多形成一層第一墊氧化層，使后續(xù)在 像素單元區(qū)形成的第二淺溝槽比在外圍電路區(qū)形成的第一淺溝槽淺。由于第 二淺溝槽的高寬比減小，在向第二淺溝槽內填充絕緣氧化層的時候，能將第 二淺溝槽完全填充滿，不會產生空洞，保證了淺溝槽的隔離功能，提高了半 導體器件之間的隔離效果。
另外，本發(fā)明由于像素單元區(qū)的第一淺溝槽的深度淺，使淺溝槽隔離結 構的截面積縮小，有效防止了漏電流的產生。
下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。 圖6是本發(fā)明形成CMOS圖像傳感器的具體實施方式
流程圖。如圖6所 示，執(zhí)行步驟S101,提供包含外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底；執(zhí)行 步驟S102,在半導體襯底上形成第一墊氧化層；執(zhí)行步驟S103,去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層；執(zhí)行步驟S104,在第一墊氧化層和半導體襯底上形成 第二墊氧化層；執(zhí)行步驟S105,刻蝕外圍電路區(qū)的第二墊氧化層和半導體襯 底，像素單元區(qū)的第二墊氧化層、第一墊氧化層和半導體襯底，在外圍電路 區(qū)形成第一淺溝槽，在像素單元區(qū)形成第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二 淺溝槽深；執(zhí)行步驟S106,在第一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層 后，去除第二墊氧化層和第一墊氧化層；執(zhí)行步驟S107,在外圍電路區(qū)和像 素單元區(qū)的半導體襯底上形成晶體管。
基于上述實施方式形成的CMOS圖像傳感器，包括包含像素單元區(qū)和 外圍電路區(qū)的半導體村底；位于含像素單元區(qū)半導體襯底內的第一淺溝槽， 位于外圍電路區(qū)半導體襯底內的第二淺溝槽，所述第二淺溝槽比第一淺溝槽 深；填充滿第一淺溝槽和第二淺溝槽的絕緣氧化層，位于半導體襯底上的晶 體管。
圖7至圖11是本發(fā)明形成CMOS圖像傳感器的實施例示意圖。如圖7 所示，提供包含外圍電路區(qū)IA和像素單元區(qū)IB的半導體襯底200，所述像素 單元區(qū)IB包括光電二極管區(qū)域IIB和驅動電3各區(qū)域IIIB;然后，用熱氧化法 或化學氣相沉積法在半導體襯底200上形成第一墊氧化層201,所述第一墊氧 化層201的材料為氧化硅；然后，用旋涂法在第一墊氧化層201上形成第一 光刻膠層202,對第一光刻膠層202進行曝光顯影后，外圍電路區(qū)IA的第一 光刻膠層202被顯影液去除，本實施例中，所述第一光刻膠層202選用負光 刻膠。
本實施例中，所述第一墊氧化層201的厚度為200埃~400埃，具體厚度 例如200埃、220埃、250埃、280埃、300埃、320埃、350埃、380?；?00埃等。
如圖8所示，以第一光刻膠層202為掩膜，用濕法刻蝕法刻蝕外圍電路 區(qū)IA的第一墊氧化層201至露出半導體襯底200,而像素單元區(qū)IB的第一墊氧化層201保留；用灰化法去除第一光刻膠層202，然后，再用濕法刻蝕法去 除殘留的第一光刻膠層202;用化學氣相法在外圍電路區(qū)IA的半導體襯底200 和像素單元區(qū)IB的第一墊氧化層201上形成第二墊氧化層203。
本實施例中，所述第二墊氧化層203的厚度為80埃 150埃，具體厚度例 如80埃、90埃、100埃、110埃、120埃、130埃、140埃或150埃等。
如圖9所示，用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法在第二墊氧化層203 上形成阻擋層204,所述阻擋層204的材料為氮化硅，阻擋層204的作用為在 后續(xù)刻蝕過程中保護其下面的膜層不被損壞；用旋涂法在阻擋層204在形成 第二光刻膠層205,經過曝光、顯影工藝，在第二光刻膠層205上定義出淺溝 槽圖形；然后，以第二光刻膠層205為掩膜，用干法刻蝕法沿淺溝槽圖形刻 蝕外圍電路區(qū)IA的阻擋層204、第二墊氧化層203和半導體襯底200,形成 第一淺溝槽206a,刻蝕像素單元區(qū)IB的阻擋層204、第二墊氧化層203、第 一墊氧化層201和半導體襯底200,形成第二淺溝槽206b，所述第一淺溝槽 206a比第二淺溝槽206b深。
本實施例中，由于像素單元區(qū)IB比外圍電路區(qū)IA多了一層第一墊氧化 層201,在刻蝕形成淺溝槽的過程中，在像素單元區(qū)IB中要多刻蝕一層墊氧 化層，因此，第二淺溝槽206b比第 一 淺溝槽206a淺200埃~400埃，即第一 墊氧化層201的厚度。
參考圖10,用灰化法去除第二光刻膠層205;接著，用濕法刻蝕法去除 殘留的第二光刻膠層205;采用熱氧化法氧化第一淺溝槽206a和第二淺溝槽 206b內表面形成襯氧化層207,所述襯氧化層207的材料為氧化硅；然后， 用高密度等離子體工藝在阻擋層202上及第一淺溝槽206a和第二淺溝槽206b 內形成絕緣氧化層208,其中，絕緣氧化層208填充滿第一淺溝槽206a和第 二淺溝槽206b內，所述絕緣氧化層208的材料為氧化硅；用化學機械拋光法 平坦化絕緣氧化層208至露出阻擋層204;最后，用濕法蝕刻方法去除阻擋層204、第二墊氧化層203和第一墊氧化層201,形成淺溝槽隔離結構。
如圖11所示，在半導體襯底200上形成柵介質層218,所述柵介質層218 的材料為氧化硅；在柵介質層218上形成多晶硅層(圖未示)；刻蝕多晶硅層 和柵介質層218至露出半導體襯底200,在外圍電路區(qū)IA的半導體襯底200 上形成柵極219、在驅動電路區(qū)域IIIB分別形成復位晶體管的柵極209、在源 跟隨晶體管的柵極210及輸出晶體管的柵極211。
接著，在光電二極管區(qū)域IIB的半導體村底200內形成與半導體襯底200 導電類型相反的深摻雜阱212,形成深摻雜阱212為本技術領域人員公知技術， 作為本發(fā)明的一個實施方式，采用光刻膠層保護半導體襯底200的驅動電路 區(qū)域IIIB、夕卜圍電路區(qū)域IA以及淺溝槽隔離結構，然后進行n型離子注入。 離子注入之后形成的深摻雜阱212與半導體襯底200 ( p型)之間構成PN結， 形成光電二極管。
在深摻雜阱212上對應形成與之導電類型相反的淺摻雜區(qū)213a,所述淺 摻雜區(qū)213a與深摻雜阱212由于導電類型相反，構成PN結，在半導體襯底 200表面形成PIN,用于阻擋半導體襯底200表面的負電荷，防止CMOS圖 像傳感器產生暗電流；在驅動電路區(qū)域IIIB形成淺擴散區(qū)213b、 213c、 213d 及213e;在外圍電路區(qū)IA形成淺擴散區(qū)213f。形成所述深摻雜阱的淺摻雜區(qū) 213a和形成淺擴散區(qū)213b、 213c、 213d、 213e、 213f為本4支術領域人員公知 技術。
接著，在柵極219、復位晶體管的柵極209、源跟隨晶體管的柵極210及 輸出晶體管的柵極211兩側形成側墻220,所述形成側墻的工藝為先在半導體 襯底200上形成氮化硅層、氧化硅-氮化硅層或氧化硅-氮化硅-氧化硅層等， 用干法刻蝕法對其進行刻蝕；在像素單元區(qū)IB的復位晶體管的柵極209、源 跟隨晶體管的柵極210、輸出晶體管的柵極211和外圍電路區(qū)IA晶體管的柵 極219兩側的半導體襯底200內進行源/漏極離子注入。由于復位晶體管的源
11極與深摻雜阱相連接，復位晶體管的源極不需要進行注入；復位晶體管和源 跟隨晶體管共用漏極214、源跟隨晶體管和輸出晶體管的共用源極215;形成 輸出晶體管的漏極216;在外圍電路區(qū)IA晶體管的柵極219兩側分別形成源 沖及217a及漏才及217b。
除本實施例外，還可將像素單元區(qū)IB作為第一區(qū)域，外圍電路區(qū)IA作 為第二區(qū)域；然而，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域也不局限于是像素單元區(qū)IB和 外圍電路區(qū)IA;本實施例的方法同樣適用于存儲器制作工藝等，在存儲器中 第一區(qū)域可以是邏輯電路區(qū)，第二區(qū)域可以是外圍電路區(qū)。本實施例的方法 適用于第一區(qū)域與第二區(qū)域的淺溝槽隔離結構線寬不一致的任意工藝中。
基于上述實施例方法形成的CMOS圖像傳感器，包括半導體襯底200; 第一淺溝槽206a,位于像素單元區(qū)IB的半導體襯底200內；第二淺溝槽206b, 位于外圍電路區(qū)IA的半導體襯底200內，所述第二淺溝槽206b的深度比第 一淺溝槽206a深；襯氧化層207,位于第一淺溝槽206a和第二淺溝槽206b 的內壁；絕緣氧化層208,填充滿第一淺溝槽206a和第二淺溝槽206b;深摻 雜阱212,位于光電二極管區(qū)域IIB的半導體襯底200,其導電類型與半導體 襯底相反；淺摻雜區(qū)213a,位于深摻雜阱212中，其導電類型與深摻雜阱212 相反；柵介質層218,位于半導體襯底200上；柵極219,位于外圍電路區(qū)IA 的柵介質層218上；復位晶體管的柵極209、源跟隨晶體管的柵極210及輸出 晶體管的柵極211,位于驅動電路區(qū)域IIIB的柵介質層218上；側墻220,位 于柵極219、復位晶體管的柵極209、源跟隨晶體管的柵極210及輸出晶體管 的柵極211的兩側；淺擴散區(qū)213f,位于柵極219兩側的半導體襯底200中； 淺擴散區(qū)213b、 213c 、 213d及213e,分別形成在復位晶體管的柵極209、源 跟隨晶體管的柵極210及輸出晶體管的柵極211兩側的半導體襯底200中； 共用漏才及214,位于淺擴散區(qū)213b和213c下方；共用源才及215，位于淺擴散 區(qū)213c和213d下方；輸出晶體管的漏才及216,位于淺擴散區(qū)213e下方；源極217a及漏極217b,位于淺擴散區(qū)213f下方。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。
權利要求
1.一種CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括下列步驟提供包含外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底；在半導體襯底上形成第一墊氧化層；去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層；在第一墊氧化層和半導體襯底上形成第二墊氧化層；刻蝕外圍電路區(qū)的第二墊氧化層和半導體襯底，像素單元區(qū)的第二墊氧化層、第一墊氧化層和半導體襯底，在外圍電路區(qū)形成第一淺溝槽，在像素單元區(qū)形成第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深；在第一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層后，去除第二墊氧化層和第一墊氧化層；在外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底上形成晶體管。
2. 根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 一墊氧化層的厚度為200埃~400埃。
3. 根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 二墊氧化層的厚度為80埃 150埃。
4. 根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 一淺溝槽比第二淺溝槽深200埃~400埃。
5. 根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成第 一墊氧化層之后，去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層之前，還包括在第一 墊氧化層上形成光刻膠層；去除外圍電路區(qū)的光刻膠層。
6. 根據權利要求1所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第 二墊氧化層上還形成有阻擋層。
7. 根據權利要求6所述CMOS圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅。
8. —種CMOS圖像傳感器，包括包含像素單元區(qū)和外圍電路區(qū)的半導體村 底，位于含像素單元區(qū)半導體襯底內的第一淺溝槽，位于外圍電路區(qū)半導 體襯底內的第二淺溝槽，填充滿第 一 淺溝槽和第二淺溝槽的絕緣氧化層， 位于半導體襯底上的晶體管，其特征在于，所述第二淺溝槽比第一淺溝槽 深。
9. 根據權利要求8所述CMOS圖像傳感器，其特征在于，所述第一淺溝槽比 第二淺溝槽深200埃~400埃。
10. —種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括下列步驟提供包含第 一 區(qū)域和第二區(qū)域的半導體襯底； 在半導體襯底上形成第一墊氧化層；去除第二區(qū)域的第一墊氧化層；在第一墊氧化層和半導體襯底上形成第二墊氧化層；刻蝕第二區(qū)域的第二墊氧化層和半導體襯底，第一區(qū)域的第二墊氧化層、 第一墊氧化層和半導體襯底，在第二區(qū)域形成第一淺溝槽，在第一區(qū)域形成 第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深；在第 一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層后，去除第二墊氧化層和 第一墊氧化層；在第 一 區(qū)域和第二區(qū)域的半導體襯底上形成晶體管。
11. 根據權利要求IO所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一墊氧 化層的厚度為200埃 400埃。
12. 根據權利要求IO所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二墊氧 化層的厚度為80埃~150埃。
13. 根據權利要求IO所述半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第一淺溝 槽比第二淺溝槽深200埃~400埃。
全文摘要
一種CMOS圖像傳感器及其形成方法、半導體器件形成方法，其中CMOS圖像傳感器的形成方法，包括提供包含外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底；在半導體襯底上形成第一墊氧化層；去除外圍電路區(qū)的第一墊氧化層；在第一墊氧化層和半導體襯底上形成第二墊氧化層；刻蝕外圍電路區(qū)的第二墊氧化層和半導體襯底，像素單元區(qū)的第二墊氧化層、第一墊氧化層和半導體襯底，在外圍電路區(qū)形成第一淺溝槽，在像素單元區(qū)形成第二淺溝槽，所述第一淺溝槽比第二淺溝槽深；在第一淺溝槽和第二淺溝槽內填充滿絕緣氧化層后，去除第二墊氧化層和第一墊氧化層；在外圍電路區(qū)和像素單元區(qū)的半導體襯底上形成晶體管。本發(fā)明保證了淺溝槽的隔離功能。
文檔編號H01L21/70GK101645419SQ200810041370
公開日2010年2月10日 申請日期2008年8月4日 優(yōu)先權日2008年8月4日
發(fā)明者虹 朱, 飛 羅 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司