技術(shù)編號(hào)：6890775
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，且特別是涉及一種非揮發(fā)性半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器元件以及其制造方法。背景技術(shù)閃存為一種類(lèi)型的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其可保持其內(nèi)容而不消耗 功率且可被寫(xiě)入以及抹除多次。 一種類(lèi)型的閃存在浮置柵極晶體管(floating gate transistor)的陣列中儲(chǔ)存信息，所述陣列中的每一者(稱(chēng) 為"單元"(cell))通常儲(chǔ)存信息的一個(gè)位。有時(shí)被稱(chēng)為多級(jí)單元 (multi-level-cell)元件的較新元件可通過(guò)使用置放于在單元的浮置 柵極上的兩級(jí)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。