技術(shù)編號：6890763
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施例提供了一種采用雙應(yīng)力淺溝槽隔離(STI)的器件、 方法等等。背景技術(shù)應(yīng)力感應(yīng)改善器件的性能。例如，較多的拉伸應(yīng)力改善n型場效應(yīng)晶 體管(NFET)的性能。此外，較多的壓縮應(yīng)力改善p型場效應(yīng)晶體管 (PFET)的性能。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例提供了一種采用雙應(yīng)力STI的器件、方法等等。提供 了一種具有這樣的襯底的半導(dǎo)體器件，所述襯底具有第一晶體管區(qū)域和不 同于所述第一晶體管區(qū)域的第二晶體管區(qū)域。所述第一晶體管區(qū)域可以包 括p型場效應(yīng)晶體管(PFE...
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