技術編號：6890736
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種操作存儲單元的方法，特別是針對施加一電壓 于柵極，造成從柵極至電荷儲存層的空穴發(fā)生隧穿，以擦除、編程或 讀取一存儲單元的方法。背景技術非易失性存儲器(NVM)是指半導體存儲器可持續(xù)地儲存信息， 即使是在包含NVM單元的裝置的電源供應被移除時仍可持續(xù)地儲存 信息。NVM包含掩膜只讀存儲器(Mask ROM)、可編程只讀存儲器 (PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦寫可編程只 讀存儲器(EEPROM)、和閃存。而非易失性存儲...
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