技術(shù)編號：6889900
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)的電容器結(jié)構(gòu)，特別涉及通過多層導(dǎo)電同心線形成的用于深亞微米互補金屬-氧化物-半導(dǎo)體(CMOS)的電容器結(jié)構(gòu)。用于深亞微米CMOS的常規(guī)電容器結(jié)構(gòu)通常由被薄介質(zhì)層隔開的兩個平板構(gòu)成。平板是通過多層導(dǎo)電材料如金屬或多晶硅形成的。該電容器結(jié)構(gòu)通常利用下介質(zhì)層與襯底絕緣。為在這些結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)高電容密度，提供附加板。附圖說明圖1表示深亞微米CMOS中的常規(guī)多層平行板電容器結(jié)構(gòu)10。電容器結(jié)構(gòu)10包括由介質(zhì)層13隔開的垂直堆疊...
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