技術(shù)編號：6888236
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備CIS(Cu-In-Se)化合物和薄膜的方法以及具有該CIS化合物薄膜的太陽能電池。背景技術(shù)表示為CuInSe2的CIS (Cu-In-Se)化合物被用于太陽能電池的吸收層(absorption layer)。為制備采用CuInSe2的吸收層，通常采用在真空中將CuInSe2沉積在基板上的方法以及在非真空中涂覆CuInSe2前體然后在高溫下對其進(jìn)行熱處理的方法。其中，真空沉積的優(yōu)點在于制備高效的吸收層，但是當(dāng)制備大尺寸的吸收層時該方法顯現(xiàn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。