技術(shù)編號:6887594
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有P溝道型溝槽功率MOS (Metal Oxide Semiconductor 金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管和表層溝道MOS (Metal Oxide Semiconductor金 屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的功率IC (Integrated Circuit集成電路)器件。詳細來說,本發(fā)明涉及一種功率IC器件及其制造方法,該功率IC器件是由在同一芯片內(nèi)形成有P溝道型溝槽功率MOS (Metal Oxide Semiconductor)晶體管和用于控...
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