技術(shù)編號：6887260
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有多個端子的半導(dǎo)體器件，尤其是具有多個源極端 子和/或多個柵極的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(FET)具體包括可用于各種功能應(yīng)用的獨(dú)立器件。出于多種原因，公共襯底上可以包括多個FET。為了確保這些FET 彼此間電氣隔離，需要將它們進(jìn)行分離，F(xiàn)ET的分離是用隔離結(jié)構(gòu)來 實現(xiàn)的。在許多應(yīng)用中都可以采用這樣的結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)間彼此完全隔離并不總是必要的，在所謂共漏雙器件 (common drain dual devices)結(jié)構(gòu)中，多個晶體管使用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。