技術(shù)編號(hào)：6886959
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件且特別涉及非易失性存儲(chǔ)器件。 背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器件利用電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)選擇性地存儲(chǔ)表示將被儲(chǔ) 存的信息位的電荷。這種電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可以包括氮化物、硅納米晶體、 半導(dǎo)體材料或例如金屬的導(dǎo)電材料。一些存儲(chǔ)器利用了多-位(多位)存儲(chǔ)單元。多-位存儲(chǔ)單元是可 以存儲(chǔ)多于一個(gè)信息位的單元。一些多-位單元包括在電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中 具有多個(gè)電荷存儲(chǔ)位置或區(qū)域的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。將電荷選擇性地添加 到每個(gè)區(qū)域，以便在單元中選擇性地存儲(chǔ)位。具有多個(gè)電荷存儲(chǔ)位置...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。