技術(shù)編號：6886914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體器件的方法，更具體而言，涉及通過包括硬掩 模形成技術(shù)的步驟序列來制造半導(dǎo)體器件的特征的方法。背景技術(shù)當代集成電路產(chǎn)品需要大量的片上存儲器器件。在典型的微處理器芯片上，靜態(tài)隨才;U^M儲器(SRAM)器件占據(jù)了大于三分之二 (2/3)的 芯片表面面積。隨著集成電路尺寸不可逆轉(zhuǎn)地變得越來越小，由此減小了 FET器件尺 寸，主要由于光刻分辨率的限制，我們發(fā)現(xiàn)越來越難以持續(xù)這一趨勢以縮 放SRAM器件至較小尺寸。使用隔離物以構(gòu)圖具有恒定寬度的亞...
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