技術(shù)編號(hào)：6885618
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，并且尤其涉及包括氧化 物半導(dǎo)體薄膜層的。背景技術(shù)很多年以來就已經(jīng)知道比如氧化鋅或氧化鎂鋅之類的氧化物 具有作為半導(dǎo)體(活性層)的極好性質(zhì)。近年來，對(duì)利用這些化合 物的半導(dǎo)體薄膜層的研究和開發(fā)非?；钴S，目的是將這種半導(dǎo)體薄 膜層應(yīng)用于電子設(shè)備，比如薄膜晶體管(下文中縮寫為TFT)、發(fā) 光設(shè)備以及透明導(dǎo)電膜。包括由氧化鋅或氧化鎂鋅制成的半導(dǎo)體薄膜層的氧化物TFT 具有比主要用于液晶顯示的包括非晶硅(a-Si-H)半導(dǎo)體薄膜層的 非晶硅TFT更大的電...
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