技術(shù)編號：6876740
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 如果在晶體管的溝道部使用應(yīng)變Si層，則利用應(yīng)變Si層的應(yīng)力可提高電子的移動度，并且即使采用與以往相同的設(shè)計規(guī)則，也能夠提高元件的動作速度。具有這樣的應(yīng)變的晶片(半導(dǎo)體晶片)是采用下述的方法制造而成例如在Si基板上形成使Ge濃度逐漸高濃度化的漸變SiGe Buffer層(漸變SiGe緩沖層)，并在其上面形成Ge濃度為一定的SiGe Buffer層(SiGe緩沖層)，最后形成應(yīng)變Si層。但是，如果采用這樣的方法來形成厚的應(yīng)變Si層，則會在...
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